PBT ဟေလိုဂျင်ကင်းစင်သော မီးလျှံတားဆီးသည့် ရည်ညွှန်းဖော်မြူလာ

PBT ဟေလိုဂျင်ကင်းစင်သော မီးလျှံတားဆီးသည့် ရည်ညွှန်းဖော်မြူလာ

PBT အတွက် ဟေလိုဂျင်ကင်းစင်သော မီးလျှံတားဆီးပစ္စည်းများ ဖော်စပ်ခြင်းကို အကောင်းဆုံးဖြစ်စေရန်အတွက် မီးလျှံတားဆီးနိုင်စွမ်း ထိရောက်မှု၊ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၊ လုပ်ငန်းစဉ်အပူချိန် လိုက်ဖက်ညီမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို ဟန်ချက်ညီအောင်ထိန်းညှိရန် အရေးကြီးပါသည်။ အောက်တွင် အဓိကခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုများပါရှိသော အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ထားသော ပေါင်းစပ်နည်းဗျူဟာတစ်ခု ပါရှိသည်။

၁။ အဓိက မီးလျှံငြိမ်းစေသော ပေါင်းစပ်မှုများ

ရွေးချယ်မှု ၁: အလူမီနီယမ် ဟိုက်ပိုဖော့စဖိုက် + MCA (မယ်လမင်း ဆိုင်ယာနူရိတ်) + ဇင့် ဘိုရိတ်

ယန္တရား:

• အလူမီနီယမ် ဟိုက်ပိုဖော့စဖိုက် (အပူတည်ငြိမ်မှု > 300°C): ငွေ့ရည်ဖွဲ့သည့်အဆင့်တွင် မီးသွေးဖွဲ့စည်းမှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး လောင်ကျွမ်းမှုကွင်းဆက်ဓာတ်ပြုမှုများကို အနှောင့်အယှက်ပေးသည့် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်တွင် PO· ရယ်ဒီကယ်များကို ထုတ်လွှတ်ပေးသည်။
• MCA (~300°C တွင် ပြိုကွဲခြင်း): Endothermic ပြိုကွဲမှုသည် inert gases (NH₃, H₂O) ကို ထုတ်လွှတ်ပြီး မီးလောင်လွယ်သော gases များကို ပျော့စေပြီး အရည်ပျော်ယိုစိမ့်မှုကို ဖိနှိပ်ပေးသည်။
• ဇင့်ဘိုရိတ် (ပြိုကွဲမှု > 300°C): ဖန်ကဲ့သို့ မီးခိုးဖွဲ့စည်းမှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး မီးခိုးနှင့် မီးခိုးငွေ့များကို လျော့နည်းစေသည်။

အကြံပြုထားသော အချိုး:

• အလူမီနီယမ် ဟိုက်ပိုဖော့စဖိုက် (၁၀-၁၅%) + MCA (၅-၈%) + ဇင့်ဘိုရိတ် (၃-၅%)။

ရွေးချယ်မှု ၂: မျက်နှာပြင်ပြုပြင်ထားသော မဂ္ဂနီဆီယမ်ဟိုက်ဒရောဆိုဒ် + အလူမီနီယမ် ဟိုက်ပိုဖော့စဖိုက် + အော်ဂဲနစ်ဖော့စဖိုက်နိတ် (ဥပမာ၊ ADP)

ယန္တရား:

• ပြုပြင်ထားသော မဂ္ဂနီဆီယမ် ဟိုက်ဒရောဆိုဒ် (ပြိုကွဲမှု ~300°C): မျက်နှာပြင်ကုသမှု (silane/titanate) သည် ပျံ့နှံ့မှုနှင့် အပူတည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသည်၊ endothermic အအေးခံခြင်းသည် ပစ္စည်း၏အပူချိန်ကို လျှော့ချပေးသည်။
• အော်ဂဲနစ်ဖော့စဖင်းနိတ် (ဥပမာ၊ ADP၊ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု > 300°C): ဖော့စဖရပ်စ်-နိုက်ထရိုဂျင်စနစ်များနှင့် ပေါင်းစပ်လုပ်ဆောင်သည့် အလွန်ထိရောက်သော ဓာတ်ငွေ့အဆင့်မီးလောင်မှုကို တားဆီးပေးသည့်ပစ္စည်း။

အကြံပြုထားသော အချိုး:

• မဂ္ဂနီဆီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ် (၁၅-၂၀%) + အလူမီနီယမ် ဟိုက်ပိုဖော့စဖိုက် (၈-၁၂%) + ADP (၅-၈%)။

၂။ ရွေးချယ်နိုင်သော ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ

• နာနို-ရွှံ့စေး/တယ်လ်ကမ် (၂-၃%): မီးလျှံတားဆီးပေးသည့် ဝန်ထုပ်ဝန်ပိုးကို လျှော့ချပေးစဉ် မီးသွေးအရည်အသွေးနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသည်။
• PTFE (0.2-0.5%): လောင်ကျွမ်းသောအစက်အပြောက်များကို ကာကွယ်ရန်အတွက် ယိုစိမ့်မှုတားဆီးပေးသည့်ပစ္စည်း။
• ဆီလီကွန်မှုန့် (၂-၄%): မီးလောင်ကျွမ်းမှုကို တားဆီးပေးပြီး မျက်နှာပြင်တောက်ပြောင်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသောကြောင့် သိပ်သည်းသော မီးသွေးဖွဲ့စည်းမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

၃။ ရှောင်ရှားရမည့် ပေါင်းစပ်မှုများ

• အလူမီနီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်: ၁၈၀-၂၀၀°C (PBT လုပ်ငန်းစဉ်အပူချိန် ၂၂၀-၂၅၀°C အောက်) တွင် ပြိုကွဲပြီး အချိန်မတန်မီ ယိုယွင်းပျက်စီးမှု ဖြစ်စေသည်။
• မပြုပြင်ရသေးသော မဂ္ဂနီဆီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်- စီမံဆောင်ရွက်စဉ်အတွင်း စုပုံခြင်းနှင့် အပူပြိုကွဲခြင်းကို ကာကွယ်ရန် မျက်နှာပြင်ပြုပြင်မှု လိုအပ်သည်။

၄။ စွမ်းဆောင်ရည် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ခြင်းဆိုင်ရာ အကြံပြုချက်များ

• မျက်နှာပြင်ပြုပြင်ခြင်း- ပျံ့နှံ့မှုနှင့် မျက်နှာပြင်ချိတ်ဆက်မှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် Mg(OH)₂ နှင့် ဇင့်ဘိုရိတ်တို့တွင် silane coupling agents များကို အသုံးပြုပါ။
• လုပ်ဆောင်ခြင်း၏ အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု- ပြိုကွဲပျက်စီးခြင်းကို ရှောင်ရှားရန်အတွက် မီးလျှံခံနိုင်သော ပြိုကွဲမှုအပူချိန် > 250°C ရှိစေရန် သေချာပါစေ။
• စက်မှုဂုဏ်သတ္တိ ဟန်ချက်ညီမှု- နာနိုဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများ (ဥပမာ SiO₂) သို့မဟုတ် မာကျောစေသည့်ပစ္စည်းများ (ဥပမာ POE-g-MAH) ကို အသုံးပြု၍ အစွမ်းသတ္တိဆုံးရှုံးမှုကို ပြန်လည်ဖြည့်ဆည်းပါ။

၅။ ဥပမာဖော်မြူလာ

၆။ အဓိက စမ်းသပ်ခြင်း မက်ထရစ်များ

• မီးလျှံတားဆီးနိုင်စွမ်း: UL94 V-0 (1.6mm)၊ LOI > 35%။
• အပူတည်ငြိမ်မှု: TGA အကြွင်းအကျန် > 25% (600°C)။
• စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ- ဆွဲဆန့်နိုင်အား > 45 MPa၊ ချိုင့်ဝင်သက်ရောက်မှု > 4 kJ/m²။

အချိုးများကို အသေးစိတ်ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် PBT ၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ်တွင် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ဟေလိုဂျင်ကင်းစင်သော မီးလျှံတားဆီးနိုင်စွမ်းကို ရရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။

More info., pls send email to lucy@taifeng-fr.com